Das vierte Element – Entwicklung und Untersuchungen an einem auf Übergangsmetalloxid basierenden Memristor

2015 | Physik | Nordrhein-Westfalen

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Teilnehmende

Evgeny Ulanov (18, rechts), Euskirchen
St. Michael Gymnasium, Bad Münstereifel
Philipp Schnicke (18, links), Blankenheim
St. Michael Gymnasium, Bad Münstereifel

Preise

4. Preis Physik gestiftet von der Max-Planck-Gesellschaft
Preis für mikroelektronische Anwendungen gestiftet vom VDE Verband der Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik e. V.

Projekt

Widerstand mit Gedächtnis

Das vierte Element – Entwicklung und Untersuchungen an einem auf Übergangsmetalloxid basierenden Memristor

2008 stellte der US-Computerkonzern Hewlett-Packard den Prototypen eines neuartigen elektronischen Bauelements vor, Memristor genannt. Vereinfacht gesagt handelt es sich um ein Bauteil, dessen elektrischer Widerstand vom Stromfluss abhängt und das sich diesen Widerstand unter bestimmten Umständen merken kann. Evgeny Ulanov und Philipp Schnicke bauten so einen „Gedächtniswiderstand“ aus einem ungewöhnlichen Material – aus Kupfersulfid, einer Verbindung aus Kupfer und Schwefel. Mithilfe einer LED gelang es den Jungforschern, Informationen in dem Memristor zu speichern und wieder abzurufen. In Zukunft könnten Bauelemente dieser Art als Grundlage für leistungsfähigere Speicherchips dienen.

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