Charakterisierung lateral strukturierter Feldeffekttransistoren
2002 | Physik | Niedersachsen
Teilnehmende
-
Fabian Czerwinski (18), BarsinghausenGymnasium Bad Nenndorf
Preise
- Preis des VDE Verband der Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik e. V. für hervorragende mikroelektronische Anwendungen
- Einladung des CERN zu einem Besuch des Kernforschungszentrums in Genf, Schweiz
Projekt
Charakterisierung lateral strukturierter Feldeffekttransistoren
Warum dauerte es so lange, bis wir mobil telefonieren konnten? Der Weg vom Relais als Schalter einer Telefonklingel über den Transistor zu den modernen integrierten Schaltungen in einem Computerchip war weit – z. B. musste ein Feldeffekttransistor (FET) als quasi stromlos arbeitender Schalter immer weiter verkleinert werden. Fabian Czerwinski hat sich theoretisch und experimentell mit einer möglichen Zukunftstechnologie der Halbleiterindustrie beschäftigt: Sie verwendet das von deutschen Nobelpreisträgern erfundene Rastertunnelmikroskop zur Oberflächenbehandlung. Damit lässt sich kostengünstig ein Nanometer-großer FET auf einem Halbleiter unterbringen. Dem Jungforscher gelang der Nachweis, dass der so hergestellte Schalter schnell genug für GHz-Frequenzen ist - ohne sie gäbe es bis heute kein Handy.
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