Charakterisierung lateral strukturierter Feldeffekttransistoren

2002 | Physik | Niedersachsen

Charakterisierung lateral strukturierter Feldeffekttransistoren

Teilnehmende

  • Fabian Czerwinski (18), Barsinghausen
    Gymnasium Bad Nenndorf

Preise

  • Preis des VDE Verband der Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik e. V. für hervorragende mikroelektronische Anwendungen
  • Einladung des CERN zu einem Besuch des Kernforschungszentrums in Genf, Schweiz

Projekt

Schalter für die übernächste Handy-Generation

Charakterisierung lateral strukturierter Feldeffekttransistoren

Warum dauerte es so lange, bis wir mobil telefonieren konnten? Der Weg vom Relais als Schalter einer Telefonklingel über den Transistor zu den modernen integrierten Schaltungen in einem Computerchip war weit – z. B. musste ein Feldeffekttransistor (FET) als quasi stromlos arbeitender Schalter immer weiter verkleinert werden. Fabian Czerwinski hat sich theoretisch und experimentell mit einer möglichen Zukunftstechnologie der Halbleiterindustrie beschäftigt: Sie verwendet das von deutschen Nobelpreisträgern erfundene Rastertunnelmikroskop zur Oberflächenbehandlung. Damit lässt sich kostengünstig ein Nanometer-großer FET auf einem Halbleiter unterbringen. Dem Jungforscher gelang der Nachweis, dass der so hergestellte Schalter schnell genug für GHz-Frequenzen ist - ohne sie gäbe es bis heute kein Handy.

 

  •  2 Klicks für mehr Datenschutz: Erst wenn Sie den Schalter aktivieren, wird der Button aktiv und Sie können Ihre Empfehlung an ShareNetwork senden. Schon beim Aktivieren werden Daten an Dritte übertragen.
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