Plasmachemische Niedertemperaturoxidation von Silicium-Germanium-Schichten

Plasmachemische Niedertemperaturoxidation von Silicium-Germanium-Schichten

Mikrochips und Mikroprozessoren finden sich im Computer ebenso wie in der Fahrzeugelektronik. Sie bestehen größtenteils aus Halbleiter-Bauelementen, etwa Transistoren. Neue Halbleitermaterialien, beispielsweise Silicium-Germanium-Legierungen, könnten diese Transistoren noch schneller machen, weisen bei Oxidationsprozessen aber Schwachstellen auf. Tobias Schulz und Stephanie Voß haben das Oxidationsverhalten von Silicium-Germanium-Legierungen unter besonderen Bedingungen – im Sauerstoffplasma – untersucht. Sie zeigten, dass die Plasmaoxidation anders als die thermische Oxidation verläuft. Unter der Oxidschicht reichert sich weniger Germanium an als bei der thermischen Oxidation.